[发明专利]SrTiO3膜的成膜方法无效
申请号: | 200810008828.6 | 申请日: | 2008-01-24 |
公开(公告)号: | CN101231952A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 河野有美子;柿本明修;门仓秀公;东慎太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/8242;C23C16/40;C23C16/52 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种在处理容器内配置基板,对基板加热,将气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂导入处理容器内,从而在基板上形成SrTiO3膜的SrTiO3膜的成膜方法。使用Sr(C5(CH3)5)2作为Sr原料。该方法依次进行如下工序:将气态的Ti原料导入处理容器内,使其吸附在基板上的工序;将气态的氧化剂导入处理容器内,分解被吸附的Ti原料,形成含Ti氧化膜的工序;将气态的Sr原料导入处理容器内,使其吸附在上述含Ti氧化膜上的工序;和将气态的氧化剂导入处理容器内,分解被吸附的Sr原料,形成含Sr氧化膜的工序,将这些工序作为1个循环,重复进行多个循环。 | ||
搜索关键词: | srtio sub 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SrTiO3膜的成膜方法,其特征在于:其是在处理容器内配置基板,对基板加热,将气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂导入所述处理容器内,从而在基板上形成SrTiO3膜的SrTiO3膜的成膜方法,其中,使用Sr(C5(CH3)5)2作为所述Sr原料,并且,依次进行如下工序:将所述气态的Ti原料导入所述处理容器内,使其吸附在基板上的工序;将所述气态的氧化剂导入所述处理容器内,分解被吸附的Ti原料,形成含Ti氧化膜的工序;将所述气态的Sr原料导入所述处理容器内,使其吸附在所述含Ti氧化膜上的工序;和将所述气态的氧化剂导入所述处理容器内,分解被吸附的Sr原料,形成含Sr氧化膜的工序,将这些工序作为1个循环,重复进行多个循环,将在各循环中形成的薄膜叠层,从而在基板上形成具有规定厚度的SrTiO3膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810008828.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有侧壁加强体的轮胎
- 下一篇:用于在内燃机废气流中提供氨的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法