[发明专利]全息记录材料、其制造方法及全息记录介质有效

专利信息
申请号: 200810009097.7 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101241306A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 小须田敦子;林田直树;吉成次郎 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G03F7/075 分类号: G03F7/075;G03F7/004;G03H1/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种全息记录材料,其不仅在使用绿色激光器的全息照相存储器记录中,而且在使用青色激光器的全息照相存储器记录中,都能实现高折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低收缩性及高多重度,适于体积型全息记录,本发明还提供上述全息记录材料的制造方法以及具有全息记录材料层(21)的全息记录介质(11)。本发明的全息记录材料含有金属氧化物和光聚合性化合物,其中的金属氧化物作为金属至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有β-二羰基化合物,在金属氧化物中,β-二羰基化合物与Zr原子的摩尔比(β-二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子与Zr原子的摩尔比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。
搜索关键词: 全息 记录 材料 制造 方法 介质
【主权项】:
1.一种全息记录材料,其含有金属氧化物和光聚合性化合物,其中的金属氧化物作为金属至少含有Si和Zr,并且在Zr上配位有β-二羰基化合物,在上述金属氧化物中,β-二羰基化合物与Zr原子的摩尔比(β-二羰基化合物/Zr)在2/1以上3/1以下,并且Si原子与Zr原子的摩尔比(Si/Zr)大于1/1而在1.15/1以下。
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