[发明专利]III－V氮化物衬底晶块及其制造方法和用途有效
| 申请号： | 200810009495.9 | 申请日： | 2001-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101307498A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·P·沃多;杰弗里·S·弗兰;乔治·R·布兰登;琼·M·雷德温;迈克尔·A·蒂施勒 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/40;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在天然氮化物晶种上由III－V族氮化物刚玉(坯料)高速气相生长形成的刚玉，由该刚玉可以得到用于制作微电子器件结构的晶片。刚玉具有微电子器件质量，例如具有大于1厘米的横向尺寸，长度大于1毫米，及上表面缺陷密度小于107个缺陷/cm2。以高于20微米/小时的生长速度，通过气相晶体取向生长方法，在对应的天然III－V族氮化物晶种上生长III－V族氮化物材料，从而形成III－V族氮化物刚玉。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 及其 制造 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种包括Ga和In至少之一的(Al，Ga，In)N晶块，包括同质晶种材料和在其上生长的晶块材料，在所述的晶种材料与晶块材料之间有一内层，其中，晶块具有大于晶种材料横断面的极端。
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