[发明专利]相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200810009536.4 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101226987A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 姜允善;卢振瑞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;C23C14/34;C23C14/06;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种相变层和形成相变层的方法以及包括该相变层的相变存储器件和该相变存储器件的制造和操作方法。该相变层由包括铟(In)的数量在大约15at.％至大约20at.％范围内的四元化合物形成。该相变层可以是InaGebSbcTed，其中锗(Ge)的数量在大约10at.％≤b≤大约15at.％范围内，锑(Sb)的数量在大约20at.％≤c≤大约25at.％范围内，以及碲(Te)的数量在大约40at.％≤d≤大约55at.％范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 及其 制造 方法 存储 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变层，其包含包括In的数量a在大约15at.％≤a≤大约20at.％范围内的四元化合物。
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