[发明专利]半导体制造装置及使用该装置的半导体晶片的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810009686.5 申请日: 2008-02-20
公开(公告)号: CN101276731A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 甲斐丈靖;马场裕之 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/683;C23C16/46;C23C16/458;G05B19/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体制造装置及使用该装置的半导体晶片的制造方法。作为课题,提供在半导体制造装置中防止异物附着在半导体晶片上的手段,其中,该半导体制造装置包括具有兼作吸引孔和喷出孔的吸引排出孔的热板。作为解决手段,该半导体制造装置包括:使半导体晶片升温热板,其具有吸引排出孔,该吸引排出孔提供用于吸引保持半导体晶片的负压、并且喷出用于控制半导体晶片的升温温度的气体;以及成膜部,在晶片背面被吸引保持在热板上的半导体晶片的正面,该成膜部成膜在半导体装置的制造中使用的膜,在热板位于成膜部处且该热板不保持半导体晶片时,使气体从吸引排出孔喷出。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 使用 晶片 方法
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,其包括:使所述半导体晶片升温的热板,该热板具有吸引排出孔,该吸引排出孔提供用于吸引保持半导体晶片的负压、并且喷出用于控制所述半导体晶片的升温温度的气体;以及成膜部,在晶片背面被吸引保持在该热板上的半导体晶片的正面,该成膜部成膜在半导体装置的制造中使用的膜,所述半导体制造装置的特征在于,在所述热板位于所述成膜部处且该热板未保持所述半导体晶片时,使所述气体从所述吸引排出孔喷出。
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