[发明专利]一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液有效
| 申请号： | 200810010596.8 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101235255A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 康仁科;李岩;高航;郭东明 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 关慧贞 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶片化学机械抛光用的抛光液领域。抛光液的pH值为0.5～7，粒径为5～20nm。抛光液组成成分是按重量百分比，其中磨料5－40％，表面活性剂0.1－10％，分散剂0.1－10％，螯合剂0.1－10％，氧化剂0.1－5％，pH调节剂0.1－5，其余为去离子水。本发明不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到200nm/min，抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度Ra值在10埃以下。抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 半导体 晶片 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，其特征在于：抛光液的PH值为0.5～7，粒径为5～20nm；抛光液的组成成分如下：按重量百分比，磨料为5～40％，表面活性剂为0.1～10％，分散剂0.1～10％，螯合剂0.1～10％，氧化剂0.1～5％，PH调节剂0.1～5％，余量为去离子水；磨料为硅溶胶或铝溶胶，其粒径为5～20nm；表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、烷基三甲基溴化铵、烷基磺酸铵或阴离子聚丙烯酸盐中的一种；分散剂采用自聚乙二醇、聚乙烯醇、聚丙烯酸盐、聚胺盐或聚羧酸盐中的一种；螯合剂采用羟胺、胺盐、乙二胺四乙酸铵、柠檬酸铵或羟乙基乙二胺四乙酸铵中的一种；氧化剂采用硝酸；PH调节剂采用氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化胺、多羟多胺或羟胺中的一种。
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