[发明专利]旋转磁控电弧离子镀弧源无效
| 申请号： | 200810010719.8 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101363115A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 闻立时;郎文昌;孙超;宫骏;赵彦辉;肖金泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置，旋转磁场发生装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上，磁极数量为4n或者3n，n≥1，形成一个整体的电磁回路骨架，励磁线圈套在磁极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内，采用相位差90°的两相或者相位差120°的三相励磁顺序供电，在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。本发明通过可调速调幅的旋转磁场控制弧斑的运动，可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性，提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率，减少靶材大颗粒的发射，用以制备高质量的薄膜以及功能薄膜，拓展电弧离子镀的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 电弧 离子镀 | ||
【主权项】：
1.一种旋转磁控电弧离子镀弧源，其特征在于：在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置，旋转磁场发生装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上，磁极数量为4n或者3n，n≥1，形成一个整体的电磁回路骨架，励磁线圈套在磁极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内，采用相位差90°的两相或者相位差120°的三相励磁顺序供电，在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。
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