[发明专利]一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法无效
| 申请号： | 200810011088.1 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101560694A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 成会明;张宏立;李峰;刘畅;闻雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B29/60;C30B25/00;C01B33/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术，具体为一种硅化物纳米带或纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基体表面于500～1500℃下发生分解反应，从而在金属基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现纳米带或纳米片的选择制备，所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下：长度10～50μm，宽度0.5～5μm，厚度100～200nm。硅化物纳米片的典型尺寸为：长度和宽度都在5～50μm，厚度10～100nm。总之，利用本发明提供的方法可以实现多种硅化物纳米带和纳米片的控制制备，突破了目前硅化物只有纳米线存在的状态，可望应用于纳米器件和锂离子电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅化物 纳米 可控 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法，其特征在于：通过使用氯代硅烷和氢气在金属基体表面发生化学反应，从而在基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米片。
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