[发明专利]一种耐腐蚀的钕铁硼稀土永磁体的制造方法无效

专利信息
申请号: 200810011091.3 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101562067A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 孙昊天;姚洪福;王兴刚;洪光伟 申请(专利权)人: 沈阳中北通磁科技有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;C22C1/02;B22F3/16;C23C8/00;C22F1/02
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 许宗富
地址: 110168辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种耐腐蚀的钕铁硼稀土永磁体的制造方法,它是通过渗金属工艺,将Co、Cu、Ga、Dy、Tb、Zr等元素或合金渗入到R-Fe-B稀土永磁材料的晶界上,从而提高磁体的耐腐蚀性和热稳定性,扩大了钕铁硼稀土永磁体的使用寿命和应用领域。
搜索关键词: 一种 腐蚀 钕铁硼 稀土 永磁体 制造 方法
【主权项】:
1、一种耐腐蚀的钕铁硼稀土永磁体的制造方法,包括:a、合金熔炼步骤:在真空或保护气氛下熔炼R-Fe-B-M合金,并采用真空速凝工艺,将熔炼的合金冷却成合金薄片,其中R为Nd、Pr、D y、Tb稀土类元素的一种或两种以上,M为Co、Al、Cu、Zr、Ga中的一种或两种以上;b、氢碎步骤:将合金薄片装入真空容器中,抽真空后充入H2进行H2破碎,破碎后进行抽真空;c、制粉步骤:加入润滑剂,在N2气保护条件下,用气流磨将合金磨成细合金粉;d、压制步骤:在氮气保护下,在取向磁场压机中,将细合金粉压制成要求的形状,磁块模具内腔中的磁场不低于12000Gs,当成型压力低于1500kg/cm2时,通过等静压机进行二次加压;e、烧结步骤:将压制好的成形磁块装入真空烧结炉中进行烧结;g、时效步骤:将渗入金属的磁块放入真空炉中,在真空或氩气保护条件下加热进行时效处理;h、加工步骤:对磁体进行机械加工或涂层;其特征在于:在步骤e和步骤g之间还有:f、渗金属步骤:在真空条件下,对磁块进行渗金属处理,可选择的金属有Cu、Co、Nb、Ga、Dy、Tb、La、Zr、V、Ti、Mo中的一种或二种以上,渗入温度为650~1100℃。
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