[发明专利]一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶无效
| 申请号： | 200810011602.1 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101280420A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张世伟;徐成海;张晓玉;戴今古 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110004辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶，包括靶体、内部磁路、水冷系统，其特征在于该靶在正磁环后部与导磁轭铁相接处的导磁轭铁外部，设置了径向充磁的侧磁环；在靶的下部设有双级位置调节机构。径向充磁的侧磁环可以明显减少靶外侧面的漏磁通，大大增强靶材表面位置处的水平磁场，从而能够满足镀制铁磁材料的强磁场要求。双级位置调节机构，能够分别在线、连续改变靶面相对于靶座法兰板的前后位置，从而调节靶基距和靶内磁路结构部分相对于靶材表面的前后位置，使之适合于对表面磁场有不同要求，如不同导磁率、不同厚度的靶材的溅射镀膜工艺过程。本发明为磁控溅射真空镀膜的工艺参数调节提供一种方便快捷的关键部件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 磁场 增强 调节 功能 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1.一种具有磁场增强和调节功能的磁控溅射靶，包括靶体、内部磁路和水冷系统，其特征在于该靶在正磁环后部与导磁轭铁相接处的导磁轭铁外部，设置径向充磁的侧磁环；在靶的下部设有双级位置调节机构。
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