[发明专利]一种无定型氧化钛纳米管阵列结构及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810012113.8 申请日: 2008-07-02
公开(公告)号: CN101619499A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 成会明;逯好峰;李峰;姜周华;逯高清 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C30B30/02 分类号: C30B30/02;C30B29/16;C25D11/26;C01G23/04;B82B3/00;G01N27/04
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及氧化钛纳米管阵列结构应用,具体为一种具有优异低温氧气传感特性的无定型氧化钛纳米管阵列结构及其制备方法,解决氧化钛等大多数金属氧化物对氧气的惰性表现。采用电化学阳极氧化法得到n型半导体氧化钛纳米管阵列,其结构和物理特征是:无定形结构,长度1.0-20.0微米;外径40-200纳米;载流子浓度范围1.0×1018-1.0×1020cm-3;可测氧气浓度区间200ppm-20.0vol.%;工作温度范围50-250℃;灵敏度范围0.1-1000。本发明无定型氧化钛纳米管阵列是种低温电阻控制型氧气传感器材料,具有灵敏度高、电阻随浓度变化线性关系好、探测浓度范围广、容易制备形成器件特点,具有重要应用价值。
搜索关键词: 一种 定型 氧化 纳米 阵列 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种无定型氧化钛纳米管阵列结构,其特征在于,通过电化学阳极氧化方法制备n型半导体氧化钛纳米管阵列,无定型氧化钛纳米管阵列的结构和物理特征是:纳米管中氧化钛为无定形结构,其纳米管外径为40-200nm,管壁厚度5-50nm,纳米管阵列长度为1.0-20.0μm,载流子浓度范围为1.0×1018-1.0×1020cm-3。
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