[发明专利]用于大尺寸金刚石晶圆超精密低损伤抛光的抛光液及制备方法无效

专利信息
申请号: 200810012181.4 申请日: 2008-07-03
公开(公告)号: CN101302403A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 金洙吉;苑泽伟;董伯先;康仁科 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;C09G1/04;B24B29/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 代理人: 侯明远
地址: 116024辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于超硬材料抛光技术领域,公开了一种用于大尺寸金刚石晶圆超精密低损伤抛光的抛光液及制备方法。其特征是采用氧化能力较强的氧化剂包括三氧化铬、过硫酸铵、高锰酸钾、重铬酸钾、双氧水、高铁酸钾、高氯酸钾等作为主要成分,加入适量的磨料配制抛光液,在常温或较低的温度条件下,借助化学和机械复合作用即可实现金刚石晶圆表面材料的微量去除。此外,还通过添加适量的催化剂、稳定剂、分散剂等以提高抛光液的抛光效果。本发明的效果和益处是所制备的抛光液具有抛光效率高、抛光质量好、稳定性良好等优点,能够在常温或低温条件下实现大尺寸金刚石晶圆的超精密低损伤抛光。
搜索关键词: 用于 尺寸 金刚石 晶圆超 精密 损伤 抛光 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于大尺寸金刚石晶圆超精密低损伤抛光的抛光液,其特征在于,它包括磨料、氧化剂、稳定剂、分散剂、催化剂和去离子水,各原料所占质量百分比为:磨料:4~20%;氧化剂:5~30%;稳定剂:1~5%;分散剂:0.1~10%;催化剂:1~5%;去离子水:42~65%;各原料质量百分比之和为100%;所述的磨料纯度为98%~100%;粒度分布为50nm~14μm。
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