[发明专利]一种单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的制备方法无效
| 申请号： | 200810015223.X | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101274984A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张庆思;孙海峰;张萌;于一涛 | 申请（专利权）人： | 山东轻工业学院 |
| 主分类号： | C08G77/388 | 分类号： | C08G77/388;C08G77/38;C08G77/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250353山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明是一种制备单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的新方法。本发明中的制备方法不同于以往合成方法，该合成方法以D3(六甲基环三硅氧烷)、烯丙基缩水甘油醚和甲氨基乙醇为起始原料，经阴离子开环聚合、硅氢加成和环氧开环三步反应合成目标产物单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷，产品纯度98％以上。本发明具有反应步骤简便，原料易得，生产成本低，产品收率、纯度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单端双羟烃基 聚二甲基硅氧烷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的合成方法，其特征是：以D3(六甲基环三硅氧烷)、烯丙基缩水甘油醚和甲氨基乙醇为起始原料，经阴离子开环聚合，硅氢加成，环氧开环三步反应合成目标化合物单端双羟烃基聚二甲基硅氧烷。
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