[发明专利]新型红外导电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200810015429.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101255051A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘俊成;郑昕;白佳海 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;B32B18/00;B32B7/02;H05B3/14;H01B1/14;B28B3/00 |
| 代理公司： | 淄博科信专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吴红 |
| 地址： | 255086山东省淄博市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型红外导电陶瓷，为上、中、下层状复合结构，其中上、下两层为绝缘层，中间为导电层，其特征在于：绝缘层和导电层成型原料不同，其中绝缘层材料为非导电的陶瓷原料，导电层材料以绝缘层原料为基料掺杂导电材料而成，添加的导电材料可以是碳类、导电陶瓷粉、金属材料中的一种或上述几种导电材料的混合，三层压合成型烧结为一体。其制备工序依次为陶瓷坯体的制作、干燥和高温烧成，其特征在于：两绝缘层和导电层三层分层布料，经陶瓷压机压制成陶瓷坯体。本发明制备的红外导电陶瓷材料表面致密、绝缘强度高，抗折强度高，有效地解决了导电陶瓷电阻率不均匀、易吸潮、高温迅速老化等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 红外 导电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种新型红外导电陶瓷，为上、中、下层状复合结构，其中上、下两层为绝缘层(1)，中间为导电层(2)，其特征在于：绝缘层(1)和导电层(2)成型原料不同，其中绝缘层(1)材料为非导电的陶瓷原料，导电层(2)材料以绝缘层(1)原料为基料掺杂导电材料而成，添加的导电材料可以是碳类、导电陶瓷粉、金属材料中的一种或上述几种导电材料的混合，三层压合成型烧结为一体。
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