[发明专利]负离子远红外多功能陶瓷装饰地墙砖的制作工艺无效

专利信息
申请号: 200810016470.1 申请日: 2008-06-06
公开(公告)号: CN101328081A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 牛崇光;牛振 申请(专利权)人: 牛崇光
主分类号: C04B41/86 分类号: C04B41/86
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 256410山东省淄博市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 负离子远红外多功能陶瓷装饰地墙砖的制作工艺,属于陶瓷领域。其特征在于按如下工艺步骤进行:(1)将配制好的陶瓷釉料添加剂按质量百分比10%-30%的比例添加到地墙砖陶瓷釉料中,制成功能釉料,然后将功能釉料装入制釉球磨机中研磨24-72小时,通过高强除铁、过滤工艺后待用;(2)将所制作的地墙砖坯烘干后,用功能釉料对地墙砖坯进行表面喷釉,然后放入遂道窑中采用1000-1200℃的高温进行烧制,出窑后制成成品。本发明生产出的陶瓷制品,具有永久性释放负离子、发射远红外线、除臭、自洁、抗菌、净化空气的功效。同时陶瓷釉面中含有多种对人体健康有益的矿物质和微量元素锗和锶。
搜索关键词: 负离子 红外 多功能 陶瓷 装饰 制作 工艺
【主权项】:
1.负离子远红外多功能陶瓷装饰地墙砖的制作工艺,其特征在于按如下工艺步骤进行:(1)将配制好的陶瓷釉料添加剂按质量百分比10%-30%的比例添加到地墙砖陶瓷釉料中,制成功能釉料,然后将功能釉料装入制釉球磨机中研磨24-72小时,通过高强除铁、过滤工艺后待用;(2)将所制作的地墙砖坯烘干后,用功能釉料对地墙砖坯进行表面喷釉,然后放入遂道窑中采用1000℃-1200℃的高温进行烧制,出窑后制成成品。
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