[发明专利]一种炭/炭/碳化硅复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810017267.6 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN101260005A 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 李瑞珍;段建军;解惠贞;崔红 申请(专利权)人: 西安航天复合材料研究所
主分类号: C04B35/83 分类号: C04B35/83;C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 西安创知专利事务所 代理人: 谭文琰
地址: 71002*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种炭/炭/碳化硅复合材料的制备方法。其特点在于:采用化学气相渗透技术制备反应性碳原子并对炭纤维提供保护,结合树脂液相浸渍炭化技术对复合材料坯体的孔隙调节处理的方法进行炭/炭复合材料制备,得到的炭/炭复合材料的密度在1.0g/cm3~1.90g/cm3范围内。采用固体硅蒸发产生的气态原子与炭/炭复合材料中的碳原子在1650℃~2200℃高温通过化学反应生成SiC的方法,进行炭/炭/碳化硅复合材料的快速制备。本发明所制备的炭/炭/碳化硅复合材料力学性能较本体炭/炭复合材料的力学性能有显著提高,热学性能相当,并具有优异的抗氧化性能。是一种高效制备小型薄壁异形高性能炭/炭/碳化硅复合材料的可工程化的方法。
搜索关键词: 一种 碳化硅 复合材料 制备 方法
【主权项】:
1. 一种炭/炭/碳化硅复合材料的制备方法,其特征在于该方法包括下列步骤:(1)采用针刺或整体编织三向炭纤维预制体,经化学气相渗透结合树脂液相浸渍炭化方法制备化学气相反应用炭/炭复合材料坯体;(2)采用立式结构的反应室,所述反应室分为下部气化区和上部反应区两部分,将待处理的步骤(1)中所述炭/炭复合材料坯体置于反应室的上部反应区中,将硅块置于反应室的下部气化区生成硅气化物;所述气化区和反应区用带孔支板隔开;(3)加热所述反应室升温至1650℃~2200℃并通保护气体,保温2~8小时,步骤(2)中所述硅气化物随保护气体通过带孔支板进入反应室的上部反应区,被炭/炭复合材料坯体表面吸附并与其反应生成碳化硅,自然或控制降温至反应室温度低于100℃,即得到炭/炭/碳化硅复合材料工件。
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