[发明专利]SOI全硅结构充硅油耐高温压力传感器有效
| 申请号： | 200810017298.1 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101226092A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;赵立波;袁展荣 | 申请（专利权）人： | 西安维纳信息测控有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04 |
| 代理公司： | 西安慈源有限责任专利事务所 | 代理人： | 潘宪曾 |
| 地址： | 710054陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | SOI全硅结构充硅油耐高温压力传感器，包括一配置有空腔的基座4，基座4空腔上依次配置有波纹膜片7和压环5，电极1通过玻璃绝缘子2与基座4相固接，基座4空腔内还配置一(100)晶面的全硅SOI压力芯片9，全硅SOI压力芯片9在真空环境下与PYREX7740玻璃6通过静电键合封接在一起，基座4空腔中充填有高温硅油13，全硅SOI压力芯片9上的压焊块与电极1之间通过超声热压焊用金丝8连接，解决了高温环境下测量大量程压力的难题，同时具有动态特性好、耐高温(≥200℃)、精度高、量程大(60～150MPa)、微型化、工作安全可靠、适应性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | soi 结构 硅油 耐高温 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.SOI全硅结构充硅油耐高温压力传感器，包括一配置有空腔的基座(4)，其特征是，基座(4)空腔上依次配置有波纹膜片(7)和压环(5)，电极(1)通过玻璃绝缘子(2)与基座(4)相固接，基座(4)空腔内还配置一(100)晶面的全硅SOI压力芯片(9)，全硅SOI压力芯片(9)在真空环境下与PYREX7740玻璃(6)通过静电键合封接在一起，基座(4)空腔中充填有高温硅油(13)，全硅SOI压力芯片(9)上的压焊块与电极(1)之间通过超声热压焊用金丝(8)连接。
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