[发明专利]采用W－CuO粉末制备铜钨触头材料的方法无效
| 申请号： | 200810017441.7 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101224498A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 梁淑华;王玲玲;肖鹏;范志康 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | B22F7/00 | 分类号： | B22F7/00;B22F9/22 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的采用W－CuO粉末制备铜钨触头材料的方法，采用CuO粉末球磨后，与纳米W粉在高能球磨机上进行混料，再将混合粉末用氢气还原得到Cu－W复合粉末，最后将Cu－W复合粉末压制成型、烧结熔渗后制得铜钨触头材料。本发明的制备方法，使W骨架的孔隙得到细化，还保持了一定的强度，不仅工艺简单、成本低，而且所制备的铜钨触头材料的耐电弧击穿性能得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 cuo 粉末 制备 铜钨触头 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用W-CuO粉末制备铜钨触头材料的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：a.球磨将CuO粉末放入球磨机中进行球磨，使其平均粒度达到10～30nm；b.混料取平均粒度为80～100nm的W粉，加入上步球磨过的CuO粉末，CuO的加入量为W粉重量的9％～15％，将该混合粉末放入高能球磨机中进行混料；c.还原把上步处理后的混合粉末用氢气进行还原，氢气流量0.08l/min，升温速率为15℃/min，将CuO与W的混合粉末还原成Cu与W的混合粉末；d.烧结熔渗将上步得到Cu与W的混合粉末压坯、温度800℃～1000℃下烧结1小时，温度1200℃～1400℃下熔渗铜1～4小时，即制得铜钨触头材料。
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