[发明专利]一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法有效
| 申请号： | 200810017630.4 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101249937A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孙军;陈威;孙巧艳;宋振亚;肖林;余倩;姚希;张德红;张临财 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F1/14;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法，该方法首先利用光刻蚀加工得到若干个微米尺度的块体试样“雏形”，三维尺寸相对于最终微米/亚微米块体试样尺寸有所盈余，然后利用聚焦离子束加工得到精确尺寸的微米/亚微米块体试样。该方法可广泛应用于具有合适腐蚀液的金属单晶、金属多晶及非晶微米/亚微米块体材料的加工。并且具有花费相对低廉、省时、宜于批量加工等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 微米 尺度 块体 试样 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加工微米/亚微米尺度块体试样的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)加工光刻蚀所用的掩膜板：在掩膜板上加工若干个相同尺寸的图案，设计的掩膜板上的图案尺寸大于欲得到的最终微米/亚微米块体试样尺寸；(2)采用光刻技术将掩膜板上的图案复制到涂有光刻正胶的已研磨抛光的待刻蚀材料表面上，再将待刻蚀材料在60～100℃下烘干3～8分钟；(3)将待刻蚀材料浸入腐蚀液中，同时以30～60转/分钟匀速搅拌腐蚀液，腐蚀0.5～3分钟后取出刻蚀材料，再将其放入丙酮溶液中进行清洗，得到微米尺度的块体试样；(4)对通过光刻蚀得到的微米尺度的块体试样进行聚焦离子束修刻，利用Ga+束轰击掉试样上多余的部分，得到精确的最终尺寸的微米/亚微米尺度块体试样。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810017630.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
