[发明专利]静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法无效
申请号: | 200810017871.9 | 申请日: | 2008-04-02 |
公开(公告)号: | CN101265122A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 赵康;汤玉斐;魏俊琪 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00;C04B35/622 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法;取粒径为0.1μm~50μm的陶瓷粉末加入极性溶液中,混合均匀,得到固相体积含量为30%~70%的陶瓷浆料;将陶瓷浆料注入底面为传热材料、侧面为绝热材料的模具中,将该模具处于由温度梯度和静电场共同作用的环境中冷冻,根据所需不同的结晶体孔径、孔形状以及孔排列方式控制温度梯度与静电场的大小和方向的组合;陶瓷浆料完全冷冻后,取出,置于真空环境中干燥,除去结晶体得到多孔陶瓷材料预制体;将得到的多孔陶瓷材料预制体在1250℃~1500℃的温度烧结,即制得多孔陶瓷材料。本发明制备多孔陶瓷材料的方法制备多孔陶瓷,可依据用途控制孔径、孔形状以及孔排列方式。 | ||
搜索关键词: | 静电场 冷冻 干燥 技术 制备 多孔 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法,其特征在于,该方法按以下步骤进行:步骤1:取粒径为0.1μm~50μm的陶瓷粉末加入极性溶液中,混合均匀,得到固相体积含量为30%~70%的陶瓷浆料;步骤2:将步骤1得到的陶瓷浆料注入底面为传热材料、侧面为绝热材料的模具中,然后,将该模具处于由温度梯度和静电场共同作用的环境中冷冻,根据所需不同的结晶体孔径、孔形状以及孔排列方式控制温度梯度与静电场的大小和方向的组合;步骤3:陶瓷浆料完全冷冻后,取出,置于真空环境中干燥,除去结晶体得到多孔陶瓷材料预制体;步骤4:将上步得到的多孔陶瓷材料预制体在1250℃~1500℃的温度烧结,即制得多孔陶瓷材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810017871.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具缓冲层的晶圆结构
- 下一篇:一种字符切分方法和装置