[发明专利]静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法无效

专利信息
申请号: 200810017871.9 申请日: 2008-04-02
公开(公告)号: CN101265122A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 赵康;汤玉斐;魏俊琪 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00;C04B35/622
代理公司: 西安弘理专利事务所 代理人: 罗笛
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法;取粒径为0.1μm~50μm的陶瓷粉末加入极性溶液中,混合均匀,得到固相体积含量为30%~70%的陶瓷浆料;将陶瓷浆料注入底面为传热材料、侧面为绝热材料的模具中,将该模具处于由温度梯度和静电场共同作用的环境中冷冻,根据所需不同的结晶体孔径、孔形状以及孔排列方式控制温度梯度与静电场的大小和方向的组合;陶瓷浆料完全冷冻后,取出,置于真空环境中干燥,除去结晶体得到多孔陶瓷材料预制体;将得到的多孔陶瓷材料预制体在1250℃~1500℃的温度烧结,即制得多孔陶瓷材料。本发明制备多孔陶瓷材料的方法制备多孔陶瓷,可依据用途控制孔径、孔形状以及孔排列方式。
搜索关键词: 静电场 冷冻 干燥 技术 制备 多孔 陶瓷材料 方法
【主权项】:
1.一种静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法,其特征在于,该方法按以下步骤进行:步骤1:取粒径为0.1μm~50μm的陶瓷粉末加入极性溶液中,混合均匀,得到固相体积含量为30%~70%的陶瓷浆料;步骤2:将步骤1得到的陶瓷浆料注入底面为传热材料、侧面为绝热材料的模具中,然后,将该模具处于由温度梯度和静电场共同作用的环境中冷冻,根据所需不同的结晶体孔径、孔形状以及孔排列方式控制温度梯度与静电场的大小和方向的组合;步骤3:陶瓷浆料完全冷冻后,取出,置于真空环境中干燥,除去结晶体得到多孔陶瓷材料预制体;步骤4:将上步得到的多孔陶瓷材料预制体在1250℃~1500℃的温度烧结,即制得多孔陶瓷材料。
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