[发明专利]半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法有效
| 申请号： | 200810018341.6 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315887A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;程萍;张玉明;张义门;廖宇龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决欧姆接触的比接触电阻大的问题。其过程是：对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层；在GaN重掺杂层或SiC∶Ge过渡层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂或SiC∶Ge过渡层区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。本发明具有比接触电阻和方块电阻低，使用寿命长的优点，可用于对半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 sic 半导体器件 欧姆 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，包括如下过程：(1)对SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上外延生长GaN重掺杂层；(2)在所述重掺杂层上确定欧姆接触区域，并对欧姆接触区域之间的GaN重掺杂区进行KOH刻蚀，使该沟道区的SiC衬底为Si面；(3)在欧姆接触区域上和所述沟道区的Si面上，淀积一层高介电常数的SiN材料；(4)刻蚀掉欧姆接触区域上的SiN材料，并在该区域淀积金属，引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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