[发明专利]一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法无效
| 申请号： | 200810018358.1 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599516A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 姜涛 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 | 代理人： | 吕 宏 |
| 地址： | 710071陕西省西安市太白南路2号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，包括对出光窗口上钝化层的刻蚀，其特征是在第一次生长的材料层生长完并经第一步刻蚀工序后，在每次进行刻蚀工序前每次生长一层材料层，其中第一次生长的材料层和之后生长的材料层定义为一种或多种材料的材料层层叠结构。各向同性和各向异性的刻蚀均是当第一次生长的材料层生长完，涂抹光刻胶曝光显影并去除被显影的光刻胶后进行的第一步刻蚀，在所得的材料层上再次生长一层材料层并进行再次刻蚀，并在所获得的材料层的基础上再次生长一层材料层。本发明中所采用的光出射窗口表面加工技术能够在不降低半导体发光芯片已有的性能质量的条件下增加发光芯片的出光率达20-30％，进而增强了发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 芯片 光出射 窗口 出光率 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高发光芯片光出射窗口出光率的加工方法，包括对出光窗口上钝化层的刻蚀，其特征是在出光窗口(2)表面的材料层(4)生长完并经第一步刻蚀工序后，在每次进行刻蚀工序前再每次生长一层材料层(5、6)，其中材料层(4、5、6)定义为一种或多种材料的层叠材料层结构。
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