[发明专利]半金属铋与金属铜组成的纳米电缆及其合成方法无效
| 申请号： | 200810018972.8 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101497424A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 杨大驰;孟国文;许巧玲;赵相龙;刘健雄;孔明光;储召琴;朱晓光;张立德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;H01B5/00;H01B13/00;C25D11/04;C25D11/16;C25D11/12;C25D11/18;C23C14/00;C25D3/00;C25D3/38;C25D3/02;C23F1/16;C2 |
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| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半金属铋与金属铜组成的纳米电缆及其合成方法。纳米电缆为半金属铋或金属铜为纳米芯线，其直径为20～170nm，其外包覆有金属铜或半金属铋的外壳，外壳的厚度为10～80nm；方法为先使用二次阳极氧化法得到通孔氧化铝模板，再先、后两次分别使用电子束蒸发法和电沉积法合成铋芯线与铜外壳或铜芯线与铋外壳的纳米电缆，最后将其通孔中置有铋芯线与铜外壳或铜芯线与铋外壳的通孔氧化铝模板置于强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得铋芯线与铜外壳或铜芯线与铋外壳的半金属铋与金属铜组成的纳米电缆。电缆有着潜在的应用前景；方法能对纳米电缆的外径、芯线的直径和外壳的厚度人为地控制，可广泛地适用于使用两种不同的材料来合成纳米电缆。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 组成 纳米 电缆 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半金属铋与金属铜组成的纳米电缆，包括半金属铋和金属铜，其特征在于：所述半金属铋或金属铜为纳米芯线，所述纳米芯线的直径为20～170nm，其外包覆有金属铜或半金属铋构成的外壳，所述外壳的厚度为10～80nm。
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