[发明专利]回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置无效
| 申请号： | 200810019231.1 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101294307A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李红军;徐军;林岳明;曾金穗 | 申请（专利权）人： | 扬州华夏集成光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置，属于结晶工艺技术领域，所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长；所述装置由环形布置的上/下装料区、预熔区、生长区、退火区和旋转机构构成的炉体，通过在环形布置的装置中完成晶体生长过程的几个关键操作，可以有效地减少晶体生长周期，可以进行连续供料不间断生长，降低能耗和成本，可以同时进行多根晶体的生长，本发明所提供的方法可以应用于生长大尺寸片状金属、半导体、陶瓷、共熔化合物晶体(如硅、氧化铝、尖晶石、石榴石等等)。本发明所提供的方法还可用来对原料进行反复的提纯处理。 | ||
| 搜索关键词： | 回旋 连续 供料 晶体生长 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种回旋式连续供料的晶体生长方法，其特征是所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长。
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