[发明专利]一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法

摘要

本发明公开了一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法：利用预检光阻薄膜作为侦测媒介，量测并比对该预检光阻薄膜在UV硬化处理前后的收缩量差值以及光学特性的变化程度，从而实现对UV光阻硬化机台工作情况的掌控。其中，所述的预检光阻薄膜为无IC图像晶圆盘片上的光阻涂层；所述的收缩量差值体现在预检光阻厚度的变化；所述的光学特性变化体现在折射率、反射率等的变化程度上。应用本发明提供的设计方案，从侦测结果可以预判并掌控UV硬化机台发生异常的影响程度，通过差值统计及制程管控，提高相同处理条件下感光硅片光阻的硬化良品率，最大限度地减小光阻流动及降低突出尖角的形成可能性。

主权项

1. 一种UV光阻硬化机台异常的侦测方法：利用预检光阻薄膜作为侦测媒介，量测并比对该预检光阻薄膜在UV硬化处理前后的收缩量差值以及光学特性的变化程度，从而实现对UV光阻硬化机台工作情况的掌控，其步骤为：(1)准备一种涂有预检光阻薄膜的晶圆盘片，定义为PR wafer；(2)将该PR wafer置入薄膜量测机台进行量测，得出其厚度(TK1)、量测拟合度的表征参数(GOF1)以及折射率(n1)；(3)将该量测后的PR wafer置于UV光阻硬化机台进行UV光照处理；(4)将该经过硬化处理的PR wafer再次置入薄膜量测机台进行量测，得出其厚度(TK2)、量测拟合度的表征参数(GOF2)以及折射率(n2)；(5)将两次量测所得的光阻薄膜的厚度以及光学特性的变化程度等量测结果信息传输给制程系统，而所述制程系统则预先定义了该UV硬化机台允许偏差的最大参数，经由系统比对得出并反馈该机台的实际工作情况。