[发明专利]硅反外延片的制造方法及其专用设备有效
| 申请号： | 200810019867.6 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101311340A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 马林宝 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 210038江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅反外延片的制造方法，首先设计和制造了硅反外延片专用的反外延设备，采用了外延层掺杂用液相掺杂技术，建立了适合硅反外延片的外延工艺条件。所述外延层掺杂用液相掺杂技术，在SiHCL3料源中加入PCl3，混合的比例以能达到外延层电阻率的要求为宜，1Kg SiHCL3加入5ml PCl3。选择合适的工艺条件：气腐温度1190℃，气腐流量20L/min，生长温度1180℃，生长速率5μm/min，保证外延片表面的平整度和外延层的晶格完整性，保证外延层掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 及其 专用设备 | ||
【主权项】：
1、一种硅反外延片的制造方法，其特征在于：设计和制造了硅反外延片所用的外延设备，采用了外延层掺杂用液相掺杂技术，建立了适合硅反外延片的外延工艺条件。
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