[发明专利]一种不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810022471.7 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101323946A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;操振华;刘澎;李平云;陆海鸣;徐春 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的Ta，衬底为单晶Si片(111)，在沉积之前，将Si片清洗，然后对真空室抽真空，对Ta靶进行约30min的预溅射；Ta膜制备时采用直流磁控溅射，真空室本底真空抽至7.5×10－5Pa以上，制备时真空室加Ar气，真空室的工作压力设置为1.5Pa；衬底的温度保持为室温，溅射功率150－250W，制备纯非晶和纯β相Ta膜；衬底温度范围为400℃到500℃，溅射功率范围都为250W；用于制备纯α相Ta或β与α混合相Ta膜。本发明操作简单，重复性好，实现效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不同 结构 纳米 金属 ta 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的Ta，衬底为单晶Si片(111)，在沉积之前，将Si片清洗，然后对真空室抽真空，对Ta靶进行约30min的预溅射；Ta膜制备时采用直流磁控溅射，真空室本底真空抽至7.5×10-5 Pa以上，制备时真空室加Ar气，真空室的工作压力设置为1.5Pa；不同的溅射功率下Ta膜的生长速率不同，故根据溅射时间来控制薄膜的厚度；衬底的温度保持为室温，溅射功率150-250W，制备纯非晶和纯β相Ta膜；衬底温度范围为400℃到500℃，溅射功率范围都为250W；用于制备纯α相Ta或β与α混合相Ta膜。
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