[发明专利]一种改良的芯片型电解电容器的制造方法无效
| 申请号： | 200810023086.4 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101335131A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 林清封 | 申请（专利权）人： | 钰邦电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/008;H01G9/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 刘瑞平 |
| 地址： | 214105江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改良的芯片型电解电容器的制造方法。其制造过程简单，产品的阻值率低、产品良率高，成本低。将金属箔片冲压出数个单元基片，在所述各单元基片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层，其特征在于：在所述各单元基片的阳极一端的表面上除去所述氧化层而形成阳极，在所述单元基片未除去所述氧化层的部分涂布导电高分子和碳、具有粘着特性的金属导体形成阴极，就制成芯片型电容器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 芯片 电解电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改良的芯片型电解电容器的制造方法，将金属箔片冲压出数个单元基片，在所述各单元基片表面上覆盖或形成一层作为介电质的氧化层，在阴极区域与阳极区域之间涂上绝缘层，其特征在于：在所述各单元基片的阳极一端的表面上除去所述氧化层而形成阳极，在所述单元基片未除去所述氧化层的部分涂布导电高分子和碳、具有粘着特性的金属导体形成阴极，就制成芯片型电容器单元。
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