[发明专利]0－50pa单片硅基SOI超低微压传感器及其加工方法

摘要

本发明为0－50pa单片硅基SOI超低微压传感器。其具有较高的灵敏度和线性度，耐高温、工艺简单，适宜于大规模生产，为此，本发明还提供了传感器的加工方法。其芯片包括硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面约0.3微米的单晶硅薄膜生成电阻(3)，内引线(4)与电阻(3)连接；芯片背面的开口内制作有背岛(7)或无背岛的平膜；在背岛和边框之间为氮化硅和二氧化硅复合弹性膜(8)。取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底背面刻出开口(6)；对硅片正面进行氧离子注入、对硅片进行退火处理，形成二氧化硅绝缘层和单晶硅薄膜，在正面热生长氧化层、P型导电层、然后在硅片正面形成电阻区(3)和内引线热压脚区(4)，而正面其它区域的单晶硅薄膜被腐蚀掉，暴露出二氧化硅层；让硅片正反面淀积的氮化硅薄膜与正面的二氧化硅组成互补的复合膜绝缘层。

主权项

1、0-50pa单片硅基SOI超低微压传感器，其特征在于：其芯片包括一个N型或P型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面约0.3微米的单晶硅薄膜生成有四个SOI力敏电阻(3)，掺浓硼的单晶硅内引线(4)与电阻(3)连接；在单晶硅内引线(4)表面覆盖铝引线(5)；SOI单晶硅力敏电阻(3)设置于中心梁和边梁；芯片背面具有方形开口(6)，开口内制作有两个矩形背岛(7)，或一个矩形背岛，或无背岛的平膜；在背岛和边框之间为氮化硅和二氧化硅复合弹性膜(8)。