[发明专利]一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200810024201.X 申请日: 2008-05-20
公开(公告)号: CN101290952A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 王树娟;何宇亮 申请(专利权)人: 无锡市纳微电子有限公司
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075
代理公司: 无锡盛阳专利事务所 代理人: 顾吉云
地址: 214028*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池。其光热稳定性好,转换效率高,稳定性、可靠性较好,生产成本低。其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值χc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值χc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。
搜索关键词: 一种 高效 纳米 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
1、一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池,其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值xc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值xc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。
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