[发明专利]一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池无效
申请号: | 200810024201.X | 申请日: | 2008-05-20 |
公开(公告)号: | CN101290952A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 王树娟;何宇亮 | 申请(专利权)人: | 无锡市纳微电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075 |
代理公司: | 无锡盛阳专利事务所 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214028*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明为一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池。其光热稳定性好,转换效率高,稳定性、可靠性较好,生产成本低。其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值χc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值χc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 纳米 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、一种叠层高效纳米硅薄膜太阳能电池,其包括材质为玻璃或有机薄膜的电池底层(1),底层(1)设置有PIN结构,所述PIN结构包括导电膜(2),在导电膜(2)上生长一层掺硼的P型非晶硅薄膜(3),改变薄膜的晶态比值xc制成变带隙纳米硅缓冲层(4),在变带隙缓冲层(4)上通以磷烷(PN3)生长一层N型纳米硅薄膜(5),硅薄膜(5)上覆盖电极Ag/Al,其特征在于:变带隙纳米硅缓冲层(4)的晶态比值xc为40-53,所述PIN结构叠加,位于最底层的PIN结构导电膜(2)覆盖于底层(1),电极Ag/Al覆盖于位于最顶层的PIN结构的硅薄膜(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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