[发明专利]平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统

摘要

本发明公开了一种平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统，包括沉积腔室、射频引入电极、加热器及抽气系统，该沉积系统为平板式，沉积腔室为平板式真空腔体，射频引入平板电极设于真空腔体上盖的下方，加热器设于真空腔体外部紧贴下电极的背面。真空腔体的两侧分别设有锥状缓冲进气室和锥状缓冲抽气室，进气室和抽气室分别设置有进气孔和抽气孔，抽气孔与抽气系统连接。射频引入电极包括电极板和电极框架，电极板上设有排列整齐的通气孔，电极板与电极上盖设有间隔地安装于真空腔体上盖的下面，电极上盖上面依次复合氟塑料、屏蔽罩和电极框架。本发明可用以沉积数量在百片以上125mm×125mm硅片的SiNx薄膜，薄膜的沉积质量高，可达到更高均匀性、致密性要求。

主权项

1.一种平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统，包括沉积腔室、射频引入电极、加热器及抽气系统，其特征在于：所述的沉积系统为平板式PECVD沉积系统，沉积腔室为平板式真空腔体，射频引入平板电极设于真空腔体上盖的下方，加热器设于真空腔体外部紧贴下电极的背面。