[发明专利]硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备

摘要

本发明提供硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺及其设备，其工艺：先兆声波槽式清洗：利用兆声在去离子水中产生O₃，并在去离子水中添加HF，在常温下进行清洗；再将硅片放入去离子水中进行超声清洗；通过以上清洗后，在硅片被抬出液面时进行干燥处理，干燥槽的上方安装有N₂的喷嘴，使硅片被抬出水面后就与高浓度的N₂直接接触，采用含有饱和IPA的N₂进行干燥处理，然后装片。放置硅片的清洗篮，由传送机构分别按顺序送入到兆声波清洗槽、去离子水超声清洗槽，最后进入N₂(IPA)氛围下的干燥装载系统。整个清洗、干燥过程只采用极少量的化学试剂，大大减少了环境污染，节约了水资源，工艺十分简单。

主权项

1.硅太阳能电池清洗刻蚀、干燥工艺，其特征在于：具体包括以下步骤——①兆声波槽式清洗：利用兆声在去离子水中产生O3，并在去离子水中添加HF，HF浓度为2～5％，在常温下进行清洗；②将硅片放入去离子水中进行超声清洗，其中兆声波频率为1MHZ以上，功率50～600W可调；③通过以上清洗后，在硅片被抬出液面时进行干燥处理，干燥槽的上方安装有N2的喷嘴，使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触，采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理，然后装片。