[发明专利]可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200810025499.6 | 申请日： | 2008-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101271947A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 韦德远;徐骏;王涛;陈德媛;韩培高;孙红程;刘宇;陈谷然;陈坤基;马忠元;李伟;徐岭 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 对称 掺杂 纳米 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件，包括p型半导体衬底，其特征在于：在所述p型半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳/氮化硅薄膜作为空穴势垒层；在所述空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在所述发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在所述电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；所述p型半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为发光器件阳极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810025499.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进集成无线电接入网络的切换特性的装置和方法
- 下一篇：光电流和光电压测量池
