[发明专利]发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810025948.7 | 申请日： | 2008-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101222015A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 樊邦弘;翁新川 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管。该发光二极管包括：衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；保护层，覆盖p型半导体材料层；穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极；以及围绕n型半导体材料层形成并与之电接触的阴极。本发明还提供了具有该发光二极管的封装结构及该发光二极管的制造方法。根据本发明的发光二极管的发光效率增加了50％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 具有 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；形成于p型半导体材料层上的阳极；以及沿n型半导体材料层边缘形成并与n型半导体材料层电接触的阴极。
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