[发明专利]一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件无效
| 申请号： | 200810026117.1 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101226980A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;王钢;招瑜 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件，其包括衬底及层叠于衬底之上的半导体外延层，该半导体外延叠层包含N型层、发光层和P型层，P型层上设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，其中，在发光二极管芯片的边缘设有贯穿于半导体外延叠层的二维光子晶体结构，该光子晶体是由电介质常数呈周期性变化的介质柱构成。本发明可以抑制发光二极管侧向的出光，有效地提高正面的出光效率。另外，本发明还提供了利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 光子 晶体结构 抑制 侧向 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件，其包括衬底(1)及层叠于衬底(1)之上的半导体外延层，该半导体外延叠层包含N型层(3)、发光层(4)和P型层(5)，P型层(5)上设置有P型电极(8)，部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层(3)，露出的部分N型层(3)上设置有N型电极(9)，其特征在于：在发光二极管芯片的边缘设有贯穿于半导体外延叠层的二维光子晶体结构，该光子晶体是由电介质常数呈周期性变化的介质柱(6)构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810026117.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用模块化低水比花式染布机染色的方法
- 下一篇：焦炭热反应性自动控制仪
