[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810026172.0 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101226982A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 樊邦弘;翁新川 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：热沉基板；形成于热沉基板上的金属接合层；形成于金属接合层上的反射层；形成于反射层上的发光叠层，该发光叠层包括依次形成的p型半导体层、发光层和n型半导体层；分别形成于热沉基板的背侧和n型半导体层上的两个电极层。根据本发明，发光二极管的出光面积增加并且芯片与基板之间的热阻降低，并且发光二极管的良率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：热沉基板；形成于热沉基板上的金属接合层；形成于金属接合层上的反射层；形成于反射层上的发光叠层，该发光叠层包括依次形成的p型半导体层、发光层和n型半导体层；以及分别形成于热沉基板的背侧和n型半导体层上的两个电极层。
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