[发明专利]一种大功率发光晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810028447.4 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101290960A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;赵华雄;孙慧卿;曾坤;高小奇;张建中;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510630广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率发光晶体管及其制备方法，第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。制备时，去除衬底和缓冲层后再制作电极。本发明在发光二极管的基础上增加一个栅极控制区，制备成电流可控的大功率发光晶体管，可应用于照明领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 发光 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大功率发光晶体管，其特征在于第一高浓度n型层(10)旁依次为低浓度n型层(9)和第二高浓度n型层(6)，低浓度n型层(9)与第二高浓度n型层(6)的上面覆盖着本征层(5)，第一高浓度n型层(10)和本征层(5)上面覆盖着第三高浓度n型层(4)，第三高浓度n型层(4)上面依次生长着量子阱层(3)和p型层(2)，p型层(2)上设置着漏极(1)，低浓度n型层(9)下面设置着栅极(8)，第二高浓度n型层(6)下面设置着源极(7)。
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