[发明专利]一种高导通电压倒装LED集成芯片及制造方法有效
| 申请号： | 200810028672.8 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101308838A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/367;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的高导通电压倒装LED集成芯片及制造方法。该集成芯片包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，硅衬底(2)上生成有至少一层导热绝缘层，导热绝缘层上沉积有金属层(6)，各LED裸芯片(1)对应的P型外延层(12)、N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的金属层(6)上，若干个LED裸芯片(1)之间通过金属层(6)相连接组成电路。该制造方法包括形成导热绝缘层、金属层及LED裸芯片封装的步骤。本发明可广泛应用于LED集成芯片领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 压倒 led 集成 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高导通电压倒装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面沉积有导热绝缘层II(5)，所述导热绝缘层II(5)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)对应的所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州南科集成电子有限公司，未经广州南科集成电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810028672.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
