[发明专利]一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法无效
| 申请号： | 200810029310.0 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101353816A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;李政林;邓少芝;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/00;C30B25/00;C30B29/62;C01G41/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法。以金属钨粉末和氧化钨粉末为蒸发源，以耐高温的材料为衬底，氧化钨铅笔状纳米结构合成在加热装置里进行。在真空环境中，在保护气氛环境下，通入小量的氧气，采用多步加热方法控制蒸发源和衬底的温度，在衬底上依次生长形成氧化钨纳米核、纳米棒阵列、低密度纳米棒阵列和铅笔状纳米结构阵列。本方法可以推广应用到基于热蒸发沉积法的、其它材料铅笔状纳米结构的制备。铅笔状纳米结构具有高的电场增强因子，可以在低电场下获得场致电子发射的性能，它可以作为冷阴极材料应用在冷阴极电子源、场发射平板显示器和冷阴极发光器件上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 铅笔 纳米 结构 阵列 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化钨铅笔状纳米结构阵列的生长方法，其特征在于：在真空环境中，在保护气氛环境下，通入小量的氧气，采用多步加热方法控制钨蒸发源和衬底的温度，在衬底上依次生长形成氧化钨纳米核、纳米棒阵列、低密度纳米棒阵列和铅笔状纳米结构阵列。
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