[发明专利]带静电保护的高导通电压LED集成芯片及制造方法有效
| 申请号： | 200810029697.X | 申请日： | 2008-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101330078A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/60;H01L23/36;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510663广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的带静电保护的高导通电压LED集成芯片及制造方法。该芯片包括若干个带有衬底(10)、N型外延层(11)、P型外延层(12)的LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，硅衬底(2)上依次设有导热绝缘层I(41)、导热绝缘层II(42)，导热绝缘层II(42)上有金属层(6)，导热绝缘层I(41)与导热绝缘层II(42)之间于每个LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的金属层(6)分别与位于同一个多晶硅块内的多晶硅区II(5)相连接。制造方法包括形成两个导热绝缘层、多晶硅块、金属层及倒装的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 通电 led 集成 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种带静电保护的高导通电压LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)上生成有导热绝缘层I(41)，所述导热绝缘层I(41)上生成有导热绝缘层II(42)，所述导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)正装或倒装在各所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述导热绝缘层I(41)与所述导热绝缘层II(42)之间于每个所述LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个所述多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与所述多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的所述金属层(6)分别与位于同一个所述多晶硅块内的两侧的所述多晶硅区II(5)相连接。
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