[发明专利]一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法有效

专利信息
申请号: 200810029792.X 申请日: 2008-07-29
公开(公告)号: CN101423964A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 李道重;严志强 申请(专利权)人: 东莞市东阳光电容器有限公司
主分类号: C25D11/04 分类号: C25D11/04;H01G9/055
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司 代理人: 李玉平
地址: 523853广东省东莞市长安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及化成箔技术领域,特别涉及一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法,本发明先采用硅酸钠处理,在化成箔表面生成硅酸铝薄膜,硅酸铝薄膜是良好的耐水合膜,能提高化成箔的耐水合性能,再将化成箔在ATMP和己二酸铵混合溶液中化成,生成耐水性好的水合磷酸铝薄膜,硅酸铝薄膜和水合磷酸铝薄膜两种薄膜能有效阻止氧化铝膜与水的反应,提高复合氧化膜低压化成箔的耐水合性能,延长电容器的寿命。
搜索关键词: 一种 复合 氧化 低压 化成 制造 方法
【主权项】:
1、一种复合氧化膜低压化成箔的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:a、将低压腐蚀箔置于己二酸铵溶液中进行化成处理;b、将经过步骤a化成处理的化成箔置于硅酸钠溶液中浸泡处理,然后纯水清洗;c、将经过步骤b的化成箔置于己二酸铵溶液中进行再化成处理;d、将经过步骤c再化成的化成箔进行清洗并在空气氛围中进行热处理;e、将经过步骤d热处理的化成箔置于己二酸铵与氨基三甲叉膦酸的混合溶液中再次进行化成处理;f、将经过步骤e的化成箔再次进行清洗并在空气氛围下热处理;g、将经过步骤f的化成箔在磷酸二氢铵溶液中浸泡处理;h、将经过步骤g的化成箔洗净放入100~150℃的干燥箱中烘干成为复合氧化膜低压化成箔。
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