[发明专利]一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器无效
| 申请号： | 200810030061.7 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101339973A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吴曙翔;李树玮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器，其包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。本发明具有存储密度高、稳定性好、结构简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反向 偏压 诱导 双稳态 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1、一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器，其特征在于包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810030061.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：再现信号处理装置和图像显示装置
- 下一篇：枢转镜头的机构
