[发明专利]一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法无效

专利信息
申请号: 200810030573.3 申请日: 2008-01-30
公开(公告)号: CN101266236A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 郑学军;陈义强;王甲世;龚伦军;余功成 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 4111*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法,包括以下步骤:(1)采用三片电容板传感纳米探针技术对纳米材料定位和成像,找到纳米材料光滑平整表面,确定纳米材料沿压入方向的厚度。(2)将功率密度为0.2-0.8mW/cm2入射光束引入纳米探针装置,光束入射到金刚石纳米探针与纳米材料相接触区域,对纳米材料实施原位压入保载实验。在延长的保载时间阶段改变入射光束的波长和功率密度,记录探针压痕位移-时间变化曲线。从该曲线上计算光照开始和结束时的位移值之差,为纳米材料沿压入方向的光致变形量。(3)纳米材料的光致变形量与其厚度之百分比为光致伸缩应变,该光致伸缩应变即为纳米材料的光致伸缩性能。本发明具有如下的有益效果,它可解决测试纳米材料在光辐照下光致伸缩性能的技术难题。该方法简单易行,避免了传统的原子力显微镜技术中固有激光的影响,能够准确可靠地测量纳米材料的光致伸缩性能。
搜索关键词: 一种 实时 测量 纳米 材料 伸缩 性能 方法
【主权项】:
1.一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)采用三片电容板传感纳米探针技术对纳米材料定位和成像,找到纳米材料光滑平整表面,确定纳米材料沿压入方向的厚度;(2)将功率密度为0.2-0.8mW/cm2入射光束引入纳米探针装置,光束入射到金刚石纳米探针与纳米材料相接触区域,对纳米材料实施原位压入保载实验。在延长的保载时间阶段改变入射光束的波长和功率密度,记录探针压痕位移-时间变化曲线。从该曲线上计算光照开始和结束时的位移值之差,为纳米材料沿压入方向的光致变形量;(3)由纳米材料的光致变形量与其厚度的百分比得到光致伸缩应变,该光致伸缩应变即为纳米材料的光致伸缩性能。
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