[发明专利]一种离子束抛光路径的规划方法

摘要

本发明公开了一种离子束抛光路径的规划方法，包括以下步骤：首先确定抛光工艺的去除函数，然后根据提出的螺旋线确定抛光路径以及路径上的加工点，再根据检测得到的待抛光光学镜面的面形误差分布数据和离子束抛光去除函数计算抛光过程中的驻留时间密度分布，根据驻留时间密度的分布计算抛光路径上各点的驻留时间，最后依据抛光路径上各点的坐标和该点的驻留时间，对待抛光光学镜面进行离子束抛光。本发明的优点在于能够使抛光工件的旋转轴速度趋于恒定，弱化了加工中最大转速要求的限制，缩短了加工时间，有利于提高抛光精度。

主权项

1、一种离子束抛光路径的规划方法，包括以下步骤：(1)确定去除函数：应用抛光工艺过程进行去除函数试验获取去除函数；(2)建立抛光路径方程：建立螺旋线方程r＝bθ1/2，其中r为极轴的长度，θ为旋转角度，b为螺旋线参数，则抛光路径上第i点Pi的坐标表示为(iφ，b(iφ)1/2)，其中φ为路径上抛光点的角度增量，1≤i≤n，n为满足加工面积需要的加工点总数；(3)检测面形误差分布：利用面形检测装置对待加工光学镜面进行误差检测，获取待加工光学镜面的面形误差分布数据；(4)计算驻留时间密度分布：根据获取的去除函数和待加工光学镜面的面形误差分布数据，计算抛光中的驻留时间密度分布，得到驻留时间密度分布矩阵T1；(5)计算抛光路径上各点的驻留时间：抛光路径上各点Pi的驻留时间ti的计算公式为ti＝Ciτi，其中Ci为抛光路径上点Pi所覆盖的面积，τi为抛光路径上点Pi处的驻留时间密度分布值，Ci的计算公式为$\left\{\begin{array}{cc}{C}_i=\frac{2i-1}{4}{b}^2\phi ,& \mathrm{i\phi }\le 2\pi \\ C_i={\mathrm{\pi b}}^2\phi ,& \mathrm{i\phi }>2\pi \end{array}\right.,\tau i的数值是根据点Pi的xy坐标在驻留时间密度分布矩阵T1中插值得到；(6)根据抛光路径点Pi的坐标和该点的驻留时间ti，对待抛光光学镜面进行离子束抛光。$