[发明专利]氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200810031141.4 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101262040A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王金斌;何春;钟向丽;周益春;郑学军 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L29/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 411105湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为Si、蓝宝石、SrRuO3或其它钙钛矿氧化物衬底；所述的氧化物稀磁半导体薄膜为宽禁带氧化物ZnO、TiO2或SnO2薄膜，掺杂有过渡金属元素Mn、Fe、Co、Ni或Cr；所述的铁电体薄膜为锆钛酸铅、钛酸钕铋或钛酸锶钡薄膜。本发明还公开了2种所述氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构的制备方法：脉冲激光沉积法和溶胶凝胶法。所述的氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构在外加电场的作用下可对其铁磁性进行非挥发性调制，能广泛应用于电子计算机领域、自旋电子学领域及非挥发性存储器领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 铁电体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，其特征在于，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。
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