[发明专利]一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺

摘要

本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是：在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结；一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定，当硅片厚度在200～230μm，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20～25μm，烧结温度在700～920℃；当硅片厚度低于200μm时，烧结温度会降低一点，温度控制在700～900℃。本发明的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结，合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。

主权项

1.一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，其特征是：在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结。