[发明专利]用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器及其制造方法无效
申请号: | 200810032750.1 | 申请日: | 2008-01-17 |
公开(公告)号: | CN101301990A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 李以贵;张俊峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81B7/02;G01N35/00;C12N1/00;B01L3/00;B01J19/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微机电系统技术领域的用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器及其制造方法。本发明驱动器包括:基底、叉指换能器和微流体沟道,基底是128°Y-X的铌酸锂单晶体,其上是相互交叉的叉指电极形成的IDT,微流体沟道与基底结合,本发明采用浮动电极型单向换能器结构设计来实现微流体的单方向驱动。方法步骤:①浮动电极型单向换能器的加工;②微流体沟道的微加工;③基底与微流体沟道的结合。本发明整个加工过程完全可以通过基于半导体材料微制造方法来制作,由于其本身无活动微部件,对流体介质无损伤等特点,使其具有工作可靠、稳定、寿命长等优点。 | ||
搜索关键词: | 用于 芯片 实验室 表面波 流体 驱动器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于芯片实验室的声表面波微流体驱动器,其特征在于,包括:基底、叉指换能器和微流体沟道,其中,基底是128°Y-X的铌酸锂单晶体,其上是相互交叉的叉指电极形成的叉指换能器,微流体沟道与基底结合。
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