[发明专利]一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法

摘要

本发明属微电子技术领域，具体是一种消除Cu_xO电阻存储器形成电压的方法。生长完Cu_xO存储介质后，在N₂、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu₂O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的Cu_xO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善Cu_xO电阻存储器的疲劳特性。

主权项

1.一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法，其特征在于：生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空缺氧气氛中进行退火，退火温度控制在100～600℃之间，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏；这里1＜x≤2。