[发明专利]掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法无效

专利信息
申请号: 200810033105.1 申请日: 2008-01-25
公开(公告)号: CN101222114A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 程艳;徐晓东;徐军;姚罡;杨新波;吴锋 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H01S3/16 分类号: H01S3/16;C30B29/30;C30B29/28;C30B15/04
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种掺镱正铌酸钙激光晶体及其生长方法,该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为YbxCa(1-2x/3)Nb2O6,其中x的取值范围是:0.005≤x≤0.2,简称为Yb:CaNb2O6,该晶体的熔点为1560℃,相变点为925℃,晶体无色。其生长方法为熔体法生长,晶体生长结束后,采用有氧并避开晶体的相变点的降温退火处理。采用本发明方法可生长出质量优良的镱离子掺杂无序结构Yb:CaNb2O6晶体,可以采用InGaAs激光二极管作为泵浦光源,实现飞秒激光的输出。
搜索关键词: 掺镱正铌酸钙 激光 晶体 及其 生长 方法
【主权项】:
1.一种掺镱正铌酸钙激光晶体,其特征在于该掺镱正铌酸钙激光晶体的化学式为YbxCa(1-2x/3)Nb2O6,其中x的取值范围是:0.005≤x≤0.2,简称为Yb:CaNb2O6,该晶体的熔点为1560℃,相变点为925℃,晶体无色。
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