[发明专利]用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法有效
| 申请号： | 200810033251.4 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101220477A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赵守仁;陆修来;魏彦锋;陈新强;杨建荣;丁瑞军;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23F11/04 | 分类号： | C23F11/04 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于II－VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，该腐蚀剂的成份配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6－10ml∶10－15ml∶0－5ml∶5.1g∶2.0－7.0g。所说的II－VI族半导体材料为ZnyCd1－yTe体材料和以其为衬底外延生长的Hg1－xCdxTe薄膜材料。腐蚀方法包括：被腐蚀样品的预处理，位错腐蚀和被腐蚀样品的后处理。它相比于目前Hg1－xCdxTe薄膜材料专用位错显示的两种常用Schaake和Chen腐蚀剂具有明显优势，体现在：腐蚀坑型较大、规则、背景清晰；又可以显示衬底材料Cd1－yZnyTe的位错腐蚀坑，这对于研究外延和衬底的位错对应关系具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ii vi 半导体材料 显示 腐蚀剂 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂，其特征在于：腐蚀剂的配比为：H2O∶HCl∶HNO3∶HF∶K2Cr2O7∶CrO3＝80ml∶6-10ml∶10-15ml∶0-5ml∶5.1g∶2.0-7.0g；所说的II-VI族半导体材料为ZnyCd1-yTe衬底外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜材料和ZnyCd1-yTe衬底体材料。
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